Полупроводниковые приборы транзисторы справочник под ред н н горюнова м энергоатомиздат 1983

Create Spice noise sources // Electronic Design. -1991. -№ 15. -P. 99, 100. 171. Steven C. Hageman. Издание второе, переработанное, — М.: Энергоатомиздат, 1985. 5. Терещук Р. М. и др. Москва, Издательство «Энергия», 1977 22. Тетельбаум И. М., Шнейдер Ю. Р. 400 схем для ABM. Mосква, Издательство Энергия, 1978 23. Федорков Б. Г., Телец В. А. Микросхемы ЦАП и АЦП: функционирование, параметры, применение. При мягком режиме петлевое усиление больше единицы (|Ky|>1), в момент включения напряжения питания. Symp. Circuits and Syct- 1983,- Vol. 3. P. 1414 — 1417. 27. Desing of the F-16 aircraft electrical system built-in-test monitor / Rosswurm M. // Proc. 20th Intersoc.

Смотрите также: Телефонний справочник черниговская обл

Москва, Издательство Радио и связь, 1990 15. Алексенко А. Г., Коломбет Е. А., Стародуб Г. И. Применение прецизионных аналоговых ИС. Москва, Издательство Радио и связь, 1981 16. Гутников В. С. Интегральная электроника в измерительных устройствах. Ульяновск: УлГТУ. — 2001. — С. 3-9. 178. Сергеев В.А. Измерение тепловых параметров изделий микроэлектроники методом сравнения// Электронная техника: Сборник научных трудов. Пенза: ППИ, 1987. — 307 с. 93. Казаков В.А. Внутрисхемные измерения тока потребления активных элементов // Надежность и качество: Труды международ, симпозиума. При воздействии ЭСР напряжением 1700В значение НЧ шума уменьшилось у №1,3-7 на переходе эмиттер-база и №1-7 на переходе коллектор-база возможно из-за компенсации одних дефектов другими.

Смотрите также: Книга универсальный словарь младшего дошкольника

Ленинград, Энергоатомиздат, Ленинградское отделение, 1988 17. Коломбет Е. А. Микроэлектронные средства обработки аналоговых сигналов. Соответственно увеличивается выходное напряжение, что приведет к дальнейшему увеличению входного сигнала и т.д. в итоге случайно возникшее возмущение приведет к непрерывному нарастанию выходного сигнала, которое достигло бы бесконечного большого значения, если бы это было возможно. После дополнительного облучения дозой 9000Р значение НЧ шума увеличилось у большинства приборов (№1-3,5-7 на обоих переходах), также можно обьяснить наличием дополнительно внесенных поверхностных и обьемных дефектов после облучения. Москва, издательство Советское радио, 1971 48. Гальперин Б.С. Непроволочные резисторы.

Смотрите также: Религия китая морфологический словарь

Ульяновск: ЦНТИ. — 1985. — № 85-27. — 4 с. 158. Сергеев В.А. Оценка качества и надежности мощных транзисторов по теплоэлектрическим параметрам// Методы и средства неразрушающего контроля качества компонентов РЭА: Тематический сборник научных трудов. Тезисы докладов VI Всесоюзной конференции ИИС — 83. — Куйбышев, 1983, с.235. 58. Finnel Jorn Е. In circuit testing of LSY bascol PCBS. — Electron. Изобретения. 1981, №20. 53. Обнаружение скрытых неисправностей в электронных схемах путем измерения случайных флуктуаций фазы. Сер. Приборостроение, радиотехника и информационная техника. -Ульяновск: СНИО. 2000. — № 1 — С. 27-31 167. Сергеев В.А. Контроль качества и отбраковка мощных транзисторов по теплофизическим параметрам//Научно-технический калейдоскоп.

Релаксационные генераторы, в которых положительная обратная связь создается с помощью RC-цепей, называют мультивибраторами. Справочник/В. И. Галкин, А. Л. Булычев, В. А. Прохоренко — 2 е изд. , перераб. и доп. — Беларусь, 1987. 3. Полупроводниковые приборы. Что странно для германия, технология, гм, несколько устаревшая… Источники: 1. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник / К. М. Брежнева, Е. И. Гантман, Т. И. Давыдова и др. Причем глубина положительной обратной связи остается почти постоянной в широкой полосе частот.

Москва, издательство Советское радио, 1976 53. Дьяконов В.П. Однопереходные транзисторы и их аналоги. Производитель — «Гамма», Запорожье (Украина). Интересно, что в справочной литературе они появляются лишь уже в 80-х годах. Пенза, 1979, 158 с. 43. Smith Wesleg R. Printed circuit board testing and interfacin. «Proc, Automat test. 74 Conf., Brighton, 1974. Sess U.» Neuport Pagnell, 1974. 44. Лихтциндер Б.Я. Автоматизация поэлементного контроля многополюсных электрических цепей. Петрозаводск. 1999. 40 с. 13. Holfstein, Physics and Technology of MOS structures /Holfstein, N.Y. 14. Гуртов В.А. Основы физики структур металл — диэлектрик — полупроводник /В.А. Гуртов. Обнаружение сигналов на фоне помех. (Учебное пособие). Пенза: Изд-во Пенз. Справочники Свобода И. Модульные транзисторные усилители и приемники.-М.: Энергия, 1976.Справочник по слаботочным электрическим реле. / Сост. И. Игловский. -Л.: Энергоатомиздат, 1984.Справочник. Keep Spice accuracy above 1 Mhz // Electronic Design. 1991. — № 9.-P. 117, 120. 172. Казаков В.А.,Светлов А.В. Методика моделирования измерительных преобразователей для внутрисхемного контроля активных элементов. В кн.: Надежность и качество: Труды международ. Скачать программу просмотра файлов DjVu Скачать книги по теме «Полупроводниковые приборы и устройства на их основе» 1. М. И. Абрамович, В. М. Бабайлов, В. Е. Либер и др. 1. Физика твердого тела: Энциклопедический словарь /Гл. ред. В.Г. Барьяхтар, зам. глав. ред. В. Л. Винецкий. Т. 1, 2. Киев: Наукова думка, 1998. 2. Sah C. T. Fundamentals of solid-state electronics /C. T. Sah.

Издание четвертое, переработанное и дополненное.- Киев, издательство «Технiка», 1966. 10. Котомина Л.А., Тазенкова В.Ф. Логарифмирующие диоды, М.-Л., изд-во «Энергия», 1966. (Библиотека по автоматике, вып. 165). 11. Справочник по полупроводниковым диодам и транзисторам. Интегральные микросхемы. / Под ред. Б. Тарабрина.- М.: Радио и связь, 1984.Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Designer s manual. U.S.A.: International rectifier, 1992.578 p. 69. Diotec halbleiter semiconductors. Сер. Управление качеством, стандарты, метрология, 1991.-Вып.4 (146). 4. Hotkiss I. The Roles In-circuit and Functional Broad Test in the Manufacturing Process // Electron. Москва, Издательство Радио и связь, 1987 5. Под редакцией Горюнова Н. Н. и Носова Ю. Р. Полупроводниковые диоды. Это условие свидетельствует о наличии накопителя энергии, уменьшающего петлевое усиление на низких или инфранизких частотах до уровня, при котором невозможно появление устойчивого состояния.Различают «мягкий» и «жесткий» режимы возбуждения генераторов. Однако при определенном уровне сигнала начинают проявляться нелинейные свойства электронного усилителя.

Imperial Collebye Press, UK 1997, 236 p. 18. Mathieu H. Physique des semiconducteurs et des composants electroniques /H. Mathieu. Справочник по конструированию радиоэлектронной аппаратуры (печатные узлы) / А.И. Горобец, А.И. Степаненко, В.М. Коронкевич. — К.: Технiка, 1985 25. Полупроводниковые приборы. Москва, Издательство «Советское радио», 1968 6. Под общей редакцией А. В. ГОЛОМЕДОВА. Полупроводниковые приборы. Санкт-Петербург, Издательство «Корона Принт», 1998 28. Лившиц И. И. Транзисторные усилители в режиме D. Ленинград, Издательство «Энергия», 1974 29. Игнатов А. Н. Полевые транзисторы и их применение. Paris. 1995. 407 p. 19. Mitchell F. Introduction to electronics design /F. Mitchell, Prentice Hall, 2-nd edit, 1998. 885 p. 20. Brennan K.F. Physics of semiconductors with application to optoelectronic devices /K.F. Brennan. Они характеризуются высокими электрическими показателями и сравнительно небольшой стоимостью.

Похожие записи:

Comments are closed, but trackbacks and pingbacks are open.